图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 670pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8TSDSON EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| RDS -于 | 6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 2.5 ns |
| 典型上升时间 | 2.2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 典型下降时间 | 1.8 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 26W |
| 匹配代码 | BSZ060NE2LS |
| R（ THJC ） | 4.9K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 21 weeks |
| 最小起订量 | 5000 |
| Q（克） | 4.4nC |
| LLRDS （上） | 0.0081Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 40A |
| V（ DS ） | 25V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.006Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 670pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.1nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSZ060NE2LSCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 系列 | BSZ060NE2 |
| RDS（ON） | 6 mOhms |
| 功率耗散 | 26 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 封装/外壳 | TDSON-8 |
| 栅极电荷Qg | 9.1 nC |
| 零件号别名 | BSZ060NE2LSATMA1 SP000776122 |
| 上升时间 | 2.2 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 26 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 1.8 nS |
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